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Si格子ひずみ量の評価

目的

CMOS(complementary metal oxide semiconductor;相補性金属酸化膜半導体)トランジスタの高速化のためひずみSi技術が研究されており、ひずみ量の評価が重要となっている。特に最表面から数ナノメートルのSi格子ひずみ量を調べることを目的とした。

方法

SGOI(SiGe-on-Insulater)試料のひずみSi部とSiGe部について、高分解能RBS(Rutheford Back-scattering Spectrometry;ラザフォード後方散乱分析)によりそれぞれのディップカーブ(Siの任意の結晶軸に対し入射角度を変えて散乱強度を測定したもの)を測定し、それらのディップ(ディップカーブの底)のずれから最表面のひずみ量を求めた。

試験装置・ソフト

神戸製鋼所製高分解能RBS分析装置

結果

SiGe層に対してひずみSi部はディップが0.15度ずれており、そのずれからひずみ量は0.91%であることがわかった。

お客様の成果

浅い深さ領域の格子ひずみ量を測定することが可能となり、ひずみ量の制御に役立った。

イメージ ※クリックすると拡大します。

  • 図1)ひずみ測定模式図
  • 図2)各入射角におけるHR-RBSスペクトル
  • 図3)ディップカーブ測定結果

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