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ホール効果測定による半導体の物性評価

目的

ZnO単結晶薄膜におけるキャリア移動度の温度依存性を評価することを目的とした。

方法

ZnO薄膜層のキャリア濃度を測定するため、80~300Kの温度範囲で、van der Pauw法によるホール効果測定を行なった。

試験装置・ソフト

ホール効果測定装置
・測定温度範囲:80~450K
・磁場:~0.5T

結果

Hall移動度は180K辺りにピークを持ち、低温および高温において低下する傾向があることが判明した。
その理由として、低温ではイオン化不純物散乱、高温では有極性フォノン散乱がそれぞれ支配的になるためと推定された。

お客様の成果

移動度測定から得られたキャリア散乱機構の検討結果を、ZnO結晶の高品質化に生かすことができた。

イメージ ※クリックすると拡大します。

  • 図1)測定原理
  • 図2)(測定例)ZnO単結晶薄膜における移動度の温度依存性

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