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フォトルミネッセンス法による半導体超格子構造の評価

目的

フォトルミネッセンス法により、MBE(Molecular Beam Epitaxy) 成長したAlGaAs/GaAs単一量子井戸(SQW)構造の完全性について評価を行うことを目的とした。
(SQW:Single Quantum Well)

方法

フォトルミネッセンス法により、各単一量子井戸からの発光ピークを測定した。

試験装置・ソフト

フォトルミネッセンス測定装置
・測定温度:4.2K~300K
・励起光源:Arイオンレーザ、He-Cdレーザ

結果

各単一量子井戸からの発光エネルギーの実測値と理論値との比較により、作製した構造の良否を把握できた。

お客様の成果

評価結果を基に、MBE法でのSQW作製条件の最適化をはかることができた。

イメージ ※クリックすると拡大します。

  • 図1)測定原理
  • 図2)PL法による半導体量子井戸構造の評価

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