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TSC(Thermally Stimulated Current:熱刺激電流)法による半絶縁性InP半導体中の深い準位の評価

目的

TSC法により、半絶縁性InP半導体中に存在する深い準位の評価を行なうことを目的とした。

方法

InP半導体試料に対向型のオーミック電極を形成した後、液体窒素クライオスタットを使った測定システムにより、熱刺激電流を測定した。

試験装置・ソフト

TSC測定装置
・液体窒素クライオスタット式
・測定温度範囲:80~450K

結果

半絶縁性InP半導体中には、3つの異なる深い準位が存在することが判明した。
TSCスペクトルの解析により、それぞれの準位の活性化エネルギーが求められた。

お客様の成果

深い準位に関する情報から半絶縁性InPの特性制御の指針が得られ、InPウエハ製品の高品質化に役立った。

イメージ ※クリックすると拡大します。

  • 図1)測定系模式図
  • 図2)半絶縁性InPのTSCスペクトル

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