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ウエハ表面パーティクル分析、汚染分析による半導体デバイスおよび装置の生産・品質管理支援

目的

ウエハ表面のパーティクル(微小粒子)、および各成分による汚染量を調査し、製品歩留まりの向上や、半導体製造装置またはクリーンルームの性能評価を行なうことを目的とした。

方法

ウエハパーティクル測定(提供ウエハ測定、転写試験、出張サンプリング)および、金属成分分析(TXRF、ICP-MS)、イオン成分分析(イオンクロマトグラフ)、有機成分分析(GC-MS)等の汚染分析を行なった。

試験装置・ソフト

・ウエハパーティクル測定:ウエハパーティクルカウンター
・汚染分析:全反射蛍光X線法(TXRF)、ICP-MS、イオンクロマトグラフ法、GC-MS(TDS-GC-MS)

結果

クリーンルーム内でのパーティクル発生源の調査のため、ウエハパーティクル測定および全反射蛍光X線法(TXRF)を実施した。
結果として、検出されたパーティクルの成分にK, Caが多く含まれ、壁材に使われていた成分と一致した。

お客様の成果

パーティクル測定および全反射蛍光X線法(TXRF)の結果、汚染の発生源が分かり、 製品歩留まり向上に向けた改善対策を早急に実施することができた。

イメージ ※クリックすると拡大します。

  • 図1)全反射蛍光X線分析法 測定事例

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