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超音波顕微鏡によるCOC(Chip On Chip)パッケージの不良部位の解析・評価

目的

超音波顕微鏡による超薄厚Siを用いたCOCパッケージにおける不良部位の特定と断面観察を行い、不良原因を調査した。

方法

不良部位の特定には超音波顕微鏡、検出された特定不良部位の試料調製にはCP(Crosssection Polisher)あるいはFIB(Focused Iron Beam)を適用し、得られた断面をFE-SEMにて観察を行った。

試験装置・ソフト

・超音波顕微鏡(C-SAM)
・CP/FIB(日立ハイテク:FB2100)
・FE-SEM(JEOL:7000F)/In-LensSEM(日立ハイテク:S5500)

結果

超薄厚(t=50μm)を利用したCOCの不良部位を非破壊で特定することができ、断面観察よりその不良発生の部位(剥離層)を特定することができた。

お客様の成果

Si厚50μmをdaughter chipとする超薄厚COC構造のパッケージにおける不良部位の検出およびその部位の状態を断面観察より明確にでき、パッケージ品質管理に役立てた。

イメージ ※クリックすると拡大します。

  • 図1)超音波測定結果
  • 図2)断面観察結果

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