イオン注入エネルギーの変化に伴うイオン注入分布および基板ダメージの評価

目的

LSIの微細化にともない極浅注入技術の研究が盛んに行われている。極浅注入試料の評価は主に低エネルギー化した一次イオンを用いたSIMS（二次イオン質量分析）で行われているが、最表面の分析に問題を抱えている。これら問題の少ない高分解能RBS（Rutheford Backscattering Spectrometry；ラザフォード後方散乱分析）を用いることにより、最表面の注入量や注入深さ及び注入ダメージを精度よく求める事を目的とした。
方法

エネルギーを1,3,5keVと変えた砒素注入試料について高分解能RBS（Rutheford Backscattering Spec-trometry；ラザフォード後方散乱分析）によりランダムスペクトルとアラインスペクトルを測定し、注入量、注入深さおよび注入ダメージを調べた。
試験装置・ソフト

神戸製鋼所製高分解能RBS分析装置
結果

エネルギーを1,3,5keVと変えた砒素注入試料について注入量、注入深さおよび注入ダメージを正確に求めることができた。
お客様の成果

本結果をもとに砒素のイオン注入条件と電気特性の関係を評価し、極浅注入技術の開発に貢献した。
イメージ
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- 図１）注入エネルギーを変えた試料の高分解能RBSスペクトル（ランダム）
- 図２）注入エネルギーを変えた試料の高分解能RBSスペクトル（アイランド）
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