TOP > 事業概要 > エレクトロニクス分野 > 高誘電率材料中の元素の深さ方向分布の評価

高誘電率材料中の元素の深さ方向分布の評価

目的

CMOS(complementary metal oxide semiconductor;相補性金属酸化膜半導体)トランジスタのゲート絶縁膜として酸化シリコン膜から比誘電率の高い材料(高誘電率材料)を使用することが検討されている。この高誘電率材料の候補であるHfAlON膜について高い深さ分解能と高い定量精度で深さ方向組成分布を評価した。

方法

Al濃度を変えたHfAlON/Si試料を高分解能RB(RuthefordBackscatteringSpectrometry;ラザフォード後方散乱分析)により測定し、Al濃度と窒素の深さ分布の関係を調べた。

試験装置・ソフト

神戸製鋼所製高分解能RBS分析装置

結果

HfAlON膜においてAl濃度の違いにより窒素の深さ方向の濃度分布が異なることがわかった。

お客様の成果

HfAlON膜においてAl濃度と窒素の分布の関係が把握でき、高誘電体材料の開発に貢献した。

イメージ ※クリックすると拡大します。

  • 図1)ゲート絶縁膜の断面TEM観察結果
  • 図2)高分解能RBSによるゲート絶縁膜の深さ方向分析結果

関連個別商品

関連試験装置

事業概要