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実装不良品解析のためのSEM観察試料調製法

方法

SEM観察用仕上げ加工の前処理として、切削法にて所定の部位近傍までの粗加工を施す。切削法では所定の部位を狙っての加工が容易なため、仕上げ加工代が小さくなるように加工する。そのため、イオンを利用した断面仕上げ加工(CPおよびFIB)に要する時間を短縮することが可能となり、さらに超精密な断面を得ることができる。

試験装置・ソフト

・切削法:ライカウルトラミクロトーム
・イオンミリング法:CP(Cross-section Polisher)
・FIB:FB2100(日立ハイテクノロジーズ)

イメージ ※クリックすると拡大します。

  • 図1 ワイヤボンディングダブルボンディング接合部
  • 図2 Snめっきより発生したウィスカー

特徴

切削法+イオンミリング法(Cross-section Polisher),あるいは切削法+FIB(Focused Ion Beam)のように既存の装置を組合わせて、個々の装置の特徴を引出すことで、短時間に超精密な断面試料調製が可能になる。 エレクトロニクス実装品の解析ではマイクロクラックを観察することが多く、二つの装置を組合せ試料調製法ではナノオーダーのマイクロクラックまで検出可能である。

実施例

・Auワイヤのダブルボンディング接合部に関して,EBSP解析試料を切削法+イオンミリング法にて試料調製を行った事例(図1)
・Snめっきより発生したウィスカーの断面SEM観察用試料調製として,切削法+FIBにて試料調製を行った事例(図2)
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