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インレンズ方式走査型電子顕微鏡(In-LensSEM)

  • イメージ

    ※クリックすると拡大します。

    • 図1)装置外観(右上より斜視)
  • 概要
    エレクトロニクス分野を対象として,インレンズ方式により,従来のFE-SEMでは困難であった高倍率の観察が可能,また,80万倍程度での明視野STEM像および暗視野STEM像を同時に観察することもできる。
  • 仕様
    ・型式:日立ハイテクノロジーズ社製S5500
    ・二次電子像分解能:30kV-0.4nm 1kV-1.6nm
    ・加速電圧:0.5~30kV
    ・実用倍率:60~800,000倍
  • 試料
    ・対象
     エレクトロニクス分野における実装材料
    ・最大搭載可能試料サイズ
      平面 5.0mm×9.5mm×3.5mmH
      断面 2.0mm×6.0mm×5.0mmH
  • 特徴
    ・低加速電圧(0.5~5.0kV)下での高倍率(20万倍程度)観察が可能で,反射電子像も 同時にとれる。
    ・ダメージの少ない30kVでの低加速STEM観察が可能である。
    ・SEM/FIB共用フォルダを使用することにより,試料に触れることなく,FIB加工とSEM観 察を短時間で繰返して行うことが可能である。
  • 実施例
    ・Auワイヤボンディング接合部の断面高倍率観察(Au/Auダブルボンディング,Au/Al接 合界面)
    ・メモリデバイスの構造観察
    ・はんだボール酸化膜の断面観察
  • 関連受託商品
    Pbフリーはんだの接合部評価
    微小はんだボールにおける接合強度の低下要因調査の一例(酸化膜)