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ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy:等温過渡容量分光)測定装置

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  • 図1)測定原理

概要

半導体接合における容量の過渡特性から、半導体材料中の点欠陥、不純物などが作る深い準位を評価する装置で、深い準位の活性化エネルギー、捕獲断面積などのパラメータ、およびその準位濃度を精度よく測定できる。
一般的な電圧パルスICTS法に加えて、光をプローブとする光ICTS法にも対応できる。

仕様

・型式:堀場製作所製DA1500
・基準周波数:1MHz
・容量測定範囲:1fF~2000pF
・サンプリング範囲:5μs~10000s
・試料温度:5K~500K

試料

・半導体ウエハ(pn接合または、ショットキー接合を形成)
・試料寸法:~4×4mm程度

特徴

・ショットキー接合試料での測定の場合、通常の(電圧パルス)ICTS法では、多数キャリアトラップの評価のみ可能であるが、光ICTS法への拡張により、同一試料で少数キャリアトラップの評価も可能としている。
・半導体バルク中トラップ以外に、MOS界面準位、アモルファス半導体中の準位評価も可能である。

実施例

・各種半導体中の深い準位の評価
・MOS界面準位の評価
・アモルファスSi中のトラップ準位の評価

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