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ICTS(等温過渡容量法)

方法

半導体ウエハ試料上に、ショットキー電極を形成し、パルス印加後の接合容量の過渡変化を高速過渡容量計により測定する。

試験装置・ソフト

・型式:堀場製作所製DA1500
・測定周波数:1MHz
・最高分解能:1fF
・サンプリング範囲:5μs~10000s
・試料温度:20K~400K

イメージ ※クリックすると拡大します。

  • 図1)ICTS法によるn-GaN中の電子トラップの評価
  • 図2)-1 光ICTS法によるn-GaN中の正孔トラップの評価(各温度における光ICTSスペクトル)
  • 図3)-2同上における熱的放射時定数のアレニウスプロット

特徴

半導体接合における容量の過渡特性から、半導体材料中の点欠陥、不純物などが作る深い準位のパラメータ、濃度を評価する。多数キャリアトラップの他、光ICTS法による少数キャリアトラップの評価が可能である。

実施例

・ICTS法によるn-GaN中の電子トラップの評価
・光ICTS法によるn-GaN中の正孔トラップの評価

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