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AES分析(オージェ電子分光分析)

方法

細く絞った電子線を観察箇所に照射して、発生したオージェ電子のエネルギーと数を測定することにより、表面に存在する元素の種類と量を同定する。電子線を走査することにより、線分析や面分析も可能である。また、イオンで試料表面をスパッタリンすることにより表面から内部に向かっての組成分布の測定も可能である。

試験装置・ソフト

オージェ電子分光装置 型式:Perkin-Elmer社製 PHI650

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  • 図1)AESによるAu箔変色部の分析(面分析)
  • 図2)AESによるAu箔変色部の分析(深さ方向分析)
  • 図3)C(10nm)/W(10nm)多層膜の深さ方向分析

特徴

検出可能な元素はLiからUまでで、分析深さが~2nmの表面分析が可能である。また、イオンスパッタにより深さ方向の組成分布の測定が可能である。
分析領域が狭く浅いことを利用した析出物等の微小領域(<1μm)の分析や、分析室が超高真空であるため、鉄鋼材料の粒界偏析調査において、試料を分析室で冷却破断して、フレッシュな破面の分析ができる特徴を有する。

実施例

・各種製品の表面変質(変色、汚れ)部の分析、ステンレス鋼の不動態皮膜の深さ方向組成分析
・各種金属材料の酸化膜厚測定、多層膜の組成分析、コーティング膜の層構造調査、膜/基材界面の分析
・鋼の粒界偏析調査、微小析出物の同定、ボンディングパッドの表面分析、電極の表面分析

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