ＦＥ－ＡＥＳ（電界放射型オージェ電子分光分析）分析

方法

細く絞った電子ビームを試料表面に照射し、発生するオージェ電子のエネルギーと強度を測定し、存在する元素の種類と量を同定する。　
電子線を走査し、ライン分析やマッピング分析を行う。また、イオンで試料表面をスパッタリングすることにより表面から内部への組成分布を測定する。
試験装置・ソフト

ＦＥ－ＡＥＳ：型式　ＪＡＭＰ９５００Ｆ（JEOL製）
イメージ
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- 図１　はんだボール表面のＳｎ酸化膜の状態分析
- 図２　鉄鋼材料のパーライト組織のマッピング分析
特徴

・金属材料や半導体材料を対象に微小領域（数ｎｍ）の表面分析が可能であり、高倍率（数十万倍）でのマッピング分析が可能である。
・イオンスパッタにより表面から数μｍ深さまでの元素分布の測定と、検出されたオージェ電子のエネルギー分布から、表面酸化皮膜の結合状態の解析が可能である。
実施例

・エレクトロニクス実装品の表面清浄度調査、接合不良調査、微小異物調査
・金属材料の表面酸化膜や微細析出物の調査
・表面処理皮膜中の成分分布状況の調査
関連試験装置

電界放出形オージェ電子分光分析装置