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各種分析一覧

  • 主要分析装置の一覧
    略 称 装置スペック
    Cs-STEM 日本電子製JEM-ARM200F
    電子銃;Cold-FE電子銃
    加速電圧;収差補正STEM:60、80、200kV
    高空間分解能;TEM:0.10nm(格子像)、0.19nm(粒子像)、STEM:0.10nm
    高感度EDX分析;100mm2SDD検出器、立体角0.98sr
    EELS分析;Gatan製 GIF-Quantum、高エネルギー分解能(0.3eV)
    試料ホルダーなど:大気非開放ホルダー、大気非開放冷却ホルダー
    FE-TEM① 日立ハイテクノロジーズ社製HF-2200 電界放出型透過電子顕微鏡
    加速電圧;200kV、分解能;0.1nm(格子像)、0.23nm(粒界像)、最小プローブ径;0.5nm
    倍率;×2,000~1,500,000、STEM分解能;0.2nm、EDX分析;Noran B~U
    EELS分析;GIF-Tridiem、エネルギー分解能;0.6eV、空間分解能1nm/元素マッピング状態分析
    FE-TEM② 日本電子製JEM-2100F 電界放出型透過電子顕微鏡
    加速電圧;200kV、分解能;0.1nm(格子像)、0.23nm(粒子像)、最小プローブ径;0.5nm
    倍率;×2,000~1,500,000、STEM分解能;0.2nm、EDX分析;Noran B~U
    EELS分析;Enfina、エネルギー1.0eV 空間分解能1nm/元素マッピング 状態分析
    FE-SEM① 日立ハイテクノロジーズ社製S-5500 電界放出型走査電子顕微鏡(インレンズタイプ)
    倍率;×60~2,000,000(メーカーカタログ値)、×800,000(実効倍率)
    加速電圧;0.5~30kV、二次電子像分解能;0.4nm(30kV)、1.6nm(1kV)
    分析;EDX(EDAX)B~U
    FE-SEM② 日立ハイテクノロジーズ社製SU-70 電界放出型走査電子顕微鏡
    倍率;×60~800,000(メーカーカタログ値)、×300,000(実効倍率)
    加速電圧;0.1~30kV、二次電子像分解能;1.0nm(15kV)、1.6nm(1kV)
    分析;EDX(OXFORD)Be~U、WDX(OXFORD)Be~U
    EBSDによる結晶方位解析
    FE-EPMA 日本電子製JXA-8500F
    二次電子分解能;3nm
    最小プローブ径;10kV 1×10-8A 40nm(分析時)、10kV 1×10-7A 100nm(分析時)
    分析元素;B~U
    FE-AES 日本電子製 JAMP-9500F
    二次電子分可能;3nm(25kV)、分析時最小プローブ径;8nm(25kV 1×10-9A)
    静電半球型アナライザー(HAS)、エネルギー分解能(⊿E/E);0.05%(可変)
    Arイオン銃(帯電中和つき)
    SIMS DF-SIMS
    (二重収束型二次イオン質量分析装置)
    装置名:CAMECA社製ims5f
    ビーム径:最小0.5μm(O2+)、0.2μm(Cs+)
    2次イオン質量範囲:1~250、
    検出下限:ppm~ppb
    Q-SIMS
    (四重極型2次イオン質量分析)
    装置名:ATOMIKA社製SIMS4500
    最小ビーム径(直径):酸素5μm(5keV)、Cs10μm(5keV)
    2次イオン質量範囲:1~350
    検出下限:Si中B 1E16(at/cm3)
    μ-XPS X線光電子分光装置(Physical Electronics社製 QuanteraSXM)
    分析領域;X線ビーム径9~200μm、励起源;単色化AlKα
    HR-RBS
    HR-ERDA
    中エネルギーイオンビーム分析装置(神戸製鋼所:HRBS500)
    ビーム径;最小1mm角、エネルギー分解能;0.2%、エネルギー;500keV(He+、N+)
    測定モード;RBS(ラザフォード後方散乱分析)、ERDA(反跳粒子検出法:水素分析)
    GD-OES グロー放電発光分析装置(堀場製作所製GD-Profiler2)
    分析元素;H~U、分析面積;4mmφ、(オプション)2mmφ
    AFM
    STM
    走査プロープ顕微鏡(Digital Instruments:Nanoscope 3a)
    測定モード:原子間力顕微鏡(AFM)、トンネル顕微鏡(STM)
    水平力、磁気力、電気力、表面電位などナノインデンテーション
    XRD マイクロX線解析装置リガク社製RINT2500V)
    X線ターゲット;Cu(回転対陰極型)、ビーム径;最小10μmφ、検出器;湾曲型PSPC
    微小部X線回折装置リガク社製RINT RAPIDⅡ
    X線ターゲット;Cu、Cr、Co(封入管球型)、ビーム径;最小30μmφ、
    検出器;イメージングプレート(2次元検出器)
    試料水平型薄膜X線回折装置(リガク社製SmartLab)
    X線ターゲット;Cu(回転対陰極型)
    薄膜材料の面内回折、斜入射回折、逆格子マッピング、極点、反射率測定、小角散乱など
    微小部X線応力測定 微小部X線応力測定装置(リガク:CN2905G3)ビーム径:最小0.15mmφ
    レーザーフラッシュ熱定数測定 レーザーフラッシュ熱定数測定装置(リガク:FA8510B)
    LRS レーザーラマン分光光度計(日本分光:NR1000) 分析領域:最小1μm
    顕微FT-IR パーキンエルマー社製(Spectrum 1000ATR)
    微小域100 μmφのATR分析可能
    イメージングIR パーキンエルマー社製(Spectrum Spotlight400)
    測定モード;透過・反射・ATR 官能基の二次元分布解析が可能
    最小ピクセルサイズ:透過・反射(6.25μm sq.)、ATR(1.56μm sq.)
    GC-MS ガスクロマトグラフー質量分析装置(Varian:3400、Finnigan MAT:SSQ70)
    熱分析装置(リガク:TG8101D)熱分解装置(日本分析工業:JHP-3)
    バージアンドトラップ装置(日本分析工業:JHS100A)
    ICP-MS 誘導結合プラズマ質量分析装置
    (セイコーインスツルメント社製;SPQ9000SE、SPQ8000、パーキンエルマー社製;ELAN DRC-Ⅱ)
    FL-AAS フレームレス原子吸光光度計 (VARIAN社製;SpectrAA-880Z、AA240Z)
    TXRF 全反射蛍光X線分析装置 (テクノス社製;TREX630)
    サーマル
    マイクロスコープ
    熱物性顕微鏡 サーマルマイクロスコープTM3
    測定項目;熱浸透率、熱伝導率、検出光径;約1μm、測定対象膜;1μm~加熱用レーザー;YAGレーザー(波長532μm)、検出用レーザー;He-Ne(波長633μm)
    機能;ポイント・ライン・マッピング測定
    サーモグラフィ NEC AVIO赤外線テクノロジー社製サーモトレーサ TH9260 画像データ;640(H)×480(V)ドット、温度測定範囲;-40~500℃
    最小検知寸法;25×25μm(走査範囲;16(H)×12(V)mm)
    最小検知温度差;0.03℃以下(at 30℃Σ64)
    測定精度;±2%(読取り値)or±2℃のどちから大きい方、測定波長;8~13μm
    画像相関 レーザー計測社製VIC-3D
    ナノインデンター ナノインデンターG200
    測定項目;薄膜・微小部の硬さ、ヤング率、スクラッチ試験、圧子;バーコビッチ型、球状圧子、円柱圧子、円錘圧子
    測定対象膜;100nm~、押し込み制御分解能;0.01nm、最大押し込み深さ;500μm
    最大荷重;700mN、荷重分解能;50nN、加熱ステージ;~350℃
    サイカス 設備名:SAICAS-DN20S型
    測定項目:密着性評価(切削、ピール)、見なし剪断強度、試料加工
    切刃;単結晶ダイヤモンド(標準、形状各種)、BN(形状各種)、インデント
    切削幅:0.3(標準)、0.5、1.0mm(その他刃幅別途ご相談)
    測定対象膜:1~1000μm(1~20μm程度を推奨、その他膜厚ご相談)
    ロードセル:5N(標準)、20N、100N 温度制御:-50~200℃(その他温度別途ご相談)
    測定対象材:有機膜(樹脂膜)、多層膜、塗膜、めっき膜、電極など
    FIB 日立ハイテクノロジーズ社製nanoDUE'T NB5000
    加速電圧:1~40kV、像分解能:5nm
    FE-SEM:加速電圧0.5~30kV、像分解能1.0nm
    イオンミリング イオンミリング装置(PIPS)(GATAN製MODEL691)
    ミクロトーム
    (切削法)
    ミクロトーム加工装置(日本電子製ULTRACUT・J)
    断面試料作製装置 日本電子社製 SM-09010 クロスセクションポリッシャ(CP)
    イオン源;アルゴンイオン  加速電圧;2~6kV
    ICTS 堀場製作所製DA1500
    測定周波数:1MHz
    最高分解能:1fF
    サンプリング範囲:5μs~10000s
    試料温度:20K~400K
    DLTS PhysTech製FT1030
    測定周波数:1MHz
    最高分解能:0.01fF
    試料温度:20K~700K
    TSC (自社システム)TSC測定装置
    測定温度範囲:80~450K
    ホール効果測定 東陽テクニカ製Hall効果測定システム
    測定方法:van der Pauw法
    磁場;最大 0.5T
    測定温度範囲:80~450K