| 略称 |
装置スペック |
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| FE-TEM① |
日立ハイテクノロジーズ社製HF-2200 電界放出型透過電子顕微鏡
加速電圧；200ｋV、分解能；0.1nm（格子像）、0.23nm（粒界像）、最小プローブ径；0.5nm
倍率；×2,000～1,500,000、STEM分解能；0.2nm、EDX分析；Noran B～U
EELS分析；GIF-Tridiem、エネルギー分解能；0.6eV、空間分解能1nm/元素マッピング状態分析
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| FE-TEM② |
日本電子製JEM-2100F 電界放出型透過電子顕微鏡
加速電圧；200ｋV、分解能；0.1nm（格子像）、0.23nm（粒子像）、最小プローブ径；0.5nm
倍率；×2,000～1,500,000、STEM分解能；0.2nm、EDX分析；Noran B～U
EELS分析；Enfina、エネルギー1.0eV 空間分解能1nm/元素マッピング 状態分析
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| FE-SEM① |
日立ハイテクノロジーズ社製S-5500 電界放出型走査電子顕微鏡（インレンズタイプ）
倍率；×60～2,000,000（メーカーカタログ値）、×800,000（実効倍率）
加速電圧；0.5～30ｋV、二次電子像分解能；0.4nm（30ｋV）、1.6nm（1ｋV）
分析；EDX(EDAX）B～U
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| FE-SEM② |
日立ハイテクノロジーズ社製SU-70 電界放出型走査電子顕微鏡
倍率；×60～800,000（メーカーカタログ値）、×300,000（実効倍率）
加速電圧；0.1～30kV、二次電子像分解能；1.0nm(15ｋV）、1.6nm（1kV）
分析；EDX（OXFORD）Be～U、WDX（OXFORD）Be～U
EBSDによる結晶方位解析
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| FE-EPMA |
日本電子製JXA-8500F
二次電子分解能；3nm
最小プローブ径；10kV 1×10-8A 40nm（分析時）、10kV 1×10-7A 100nm（分析時）
分析元素；B～U
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| FE-AES |
日本電子製 JAMP-9500F
二次電子分可能；3nm（25ｋV）、分析時最小プローブ径；8nm（25ｋV 1×10-9A）
静電半球型アナライザー（HAS）、エネルギー分解能（⊿E/E）；0.05％（可変）
Arイオン銃（帯電中和つき）
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| SIMS |
DF-SIMS
二重収束型二次イオン質量分析装置（CAMECA)
ビーム径：最小0.5μm（O2＋）、0.2μm（Cs＋）
2次イオン質量範囲：1～300、
検出下限：ppm～ppb |
Q-SIMS
（四重極型2次イオン質量分析）
装置名：ATOMIKA社製SIMS4500
最小ビーム径（直径）：酸素5μm（5keV）、Cs10μm（5keV）
2次イオン質量範囲：1～350
検出下限：Si中B 1E16（at/cm3） |
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| μ-XPS |
X線光電子分光装置（Physical Electronics社製 QuanteraSXM）
分析領域；X線ビーム径9～20μm、励起源；単色化AlKα
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HR-RBS
HR-ERDA |
中エネルギーイオンビーム分析装置（神戸製鋼所：HRBS500）
ビーム径；最小1mm角、エネルギー分解能；0.2％、エネルギー；500keV（He＋、N＋）
測定モード；RBS（ラザフォード後方散乱分析）、ERDA（反跳粒子検出法：水素分析）
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GD-OES
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グロー放電発光分析装置（堀場製作所製GD-Profiler2)
分析元素；H～U、分析面積；4mmφ、（オプション）2mmφ
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AFM
STM |
走査プロープ顕微鏡（Digital Instruments：Nanoscope 3a）
測定モード：原子間力顕微鏡（AFM）、 トンネル顕微鏡（STM）
水平力、磁気力、電気力、表面電位などナノインデンテーション |
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| XRD |
マイクロX線解析装置リガク社製RINT2500V）
X線ターゲット；Cu（回転対陰極型）、ビーム径；最小10μｍφ、検出器；湾曲型PSPC
微小部X線回折装置リガク社製RINT RAPIDⅡ
X線ターゲット；Cu、Cr、Co（封入管球型）、ビーム径；最小30μｍφ、
検出器；イメージングプレート（2次元検出器）
試料水平型薄膜X線回折装置（リガク社製SmartLab）
X線ターゲット；Cu（回転対陰極型）
薄膜材料の面内回折、斜入射回折、逆格子マッピング、極点など
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| 微小部X線応力測定 |
微小部X線応力測定装置（リガク：CN2905G3）ビーム径：最小0.15mmφ |
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| レーザーフラッシュ熱定数測定 |
レーザーフラッシュ熱定数測定装置（リガク：FA8510B） |
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| LRS |
レーザーラマン分光光度計（日本分光：NR1000） 分析領域：最小1μm |
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| 顕微FT-IR |
パーキンエルマー社製（Spectrum 1000ATR)
微小域100 μmφのATR分析可能
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| イメージングIR |
パーキンエルマー社製 （Spectrum Spotlight400）
測定モード；透過・反射・ATR 官能基の二次元分布解析が可能
最小ピクセルサイズ：透過・反射（6.25μｍ sq.）、ATR（1.56μｍ sq.)
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| GC-MS |
ガスクロマトグラフー質量分析装置（Varian：3400、Finnigan MAT：SSQ70）
熱分析装置（リガク：TG8101D）熱分解装置（日本分析工業：JHP-3）
バージアンドトラップ装置（日本分析工業：JHS100A） |
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| ICP-MS |
誘導結合プラズマ質量分析装置
（セイコーインスツルメント社製；SPQ9000SE、SPQ8000、パーキンエルマー社製；ELAN DRC-Ⅱ）
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| FL-AAS |
フレームレス原子吸光光度計 （VARIAN社製；SpectrAA-880Z、AA240Z） |
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| TXRF |
全反射蛍光X線分析装置 （テクノス社製；TREX630） |
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サーマル
マイクロスコープ |
熱物性顕微鏡 サーマルマイクロスコープTM３
測定項目；熱浸透率、熱伝導率、検出光径；約1μｍ、測定対象膜；1μｍ～
加熱用レーザー；YAGレーザー（波長532μｍ）、検出用レーザー；He-Ne（波長633μｍ）
機能；ポイント・ライン・マッピング測定
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| サーモグラフィ |
NEC AVIO赤外線テクノロジー社製サーモトレーサ TH9260
画像データ;640（H)×480（V)ドット、温度測定範囲；-40～500℃
最小検知寸法；25×25μｍ（走査範囲；16(H)×12(V)mm）
最小検知温度差；0.03℃以下(at 30℃Σ64）
測定精度；±2%（読取り値)or±2℃のどちから大きい方、測定波長；8～13μｍ
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| ナノインデンター |
ナノインデンターG200
測定項目；薄膜・微小部の硬さ、ヤング率、密着性、圧子；バーコビッチ型
測定対象膜；100nm～、押し込み制御分解能；0.01nm、最大押し込み深さ；>500μｍ
最大荷重；700mN、荷重分解能；50ｎN、加熱ステージ；～350℃
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| サイカス試験 |
設備名；SAICAS-DN20型
測定項目；密着力（切削、ピール）、見なし剪断強度、試験加工
切刃；単結晶ダイヤモンド(形状各種）、BN（形状各種）、インデント
切削幅；0.3、0.5、1.0mm（その他刃幅別途ご相談）
測定対象膜；1～1000μｍ（その他膜厚ご相談）
ロードセル；20、100N 温度制御；-50～200℃（その他温度別途ご相談）
測定対象材；有機膜、多層膜、塗膜、めっき膜、電極など
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| FIB① |
日立ハイテクノロジーズ社製FB-2000 集束イオンビーム加工装置（３台）
イオン源；Ga液体金属イオン源、加速電圧；30ｋV、像分解能；10nm
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| FIB② |
日立ハイテクノロジーズ社製FB-2100 集束イオンビーム加工装置
イオン源；Ga液体金属イオン源、加速電圧；10～40ｋV、像分解能；10nm
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| FIB③ |
セイコーインスツルメンツ社製SMI-9200 集束イオンビーム加工装置
イオン源；Ga液体金属イオン源、加速電圧；15～30ｋV、像分解能；7nm
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| FIB④ |
FEI社製Dual Beam System Nova200
イオン源；Ga液体金属イオン源
FIB；加速電圧5～30kV、像分解能7nm
FE-SEM；加速電圧5～30ｋV、像分解能1.1nm
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| イオンミリング |
イオンミリング装置（PIPS）（GATAN製MODEL691） |
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| ミクロトーム（切削法） |
ミクロトーム加工装置（日本電子製ULTRACUT・J） |
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| 断面試料作製装置 |
日本電子社製 SM-09010 クロスセクションポリッシャ（CP)
イオン源；アルゴンイオン 加速電圧；2～6ｋV |
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