株式会社コベルコ科研 | 物理解析　サービス

コベルコ科研では、秘密厳守のもと
お客様の課題・問題解決のサポートを致します。

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解析事例から探す

■物理解析Service

薄膜の評価
●薄膜の膜圧、結晶性、配向性評価
●多層薄膜の構造評価
●磁性薄膜の膜圧評価
●ウェハ表面の粗さ測定
故障・不良解析
●電気特性異常の原因調査
●機能劣化原因調査
（抵抗値変化、センサー異常）

異物の同定・解析
●異物、付着物の同定
●異常部の評価
（断線、ショート、接触不良など）
微量成分分析
●微量汚染元素の定量（シリコンウェハなど）
●微量不純物元素の定量、深さ方向分析

▼マイクロサンプリング加工技術のご紹介
▼フラッシュメモリの断面 TEM観察-1
▼フラッシュメモリの断面 TEM観察-2
▼HR-ERDAによるDLC膜中の水素分析
▼ワイドバンドギャップ半導体・デバイスの発光分光測定
▼研磨法による断面の結晶方位解析
▼FE-SEM/EBSP法による希土類磁石の配向性評価
▼AES-EELFSを用いた機能材料の構造解析
▼TEM-EELSによるナノレベル高倍率マッピング
▼カーボンナノチューブのTEM-EDX分析
▼mELT法による薄膜の密着性評価
▼Q-SIMS極薄膜評価
▼光てこ法による薄膜応力の測定

▼ゲート・STI部位薄膜評価
　薄膜の組成・不純物評価

▼SiON膜中の窒素の深さ分布
▼HfO2/Siの高分解能RBSによる評価
▼HfO2/SiのQ-SIMSによる評価
▼ウルトラシャロージャンクション（USJ）のQ-SIMSによる評価

▼Low-k／Cu配線・LD電極部位等各種評価、
　薄膜の結晶性・硬度・密着性評価

▼ナノインデンターによる微少部の硬さ・ヤング率測定
▼薄膜の密着性評価（Low-k、Cu配線膜評価）
▼EBSP（後方散乱電子回折像）による結晶方位解析
▼FESEM/EBSP法（高分解能結晶方位解析法）による材料組織評価

▼実装品の解析技術

▼実装評価メニュー
▼断面試料調製法
▼チップとインターポーザとの接合性評価（非破壊評価）
▼剥離領域の検出（非破壊評価と断面観察）
▼チップとインターポーザとの接合性評価（断面＆結晶方位解析）
▼チップとインターポーザとの接合性評価（ILB接合部）
▼パッケージング部材の評価（Pbフリーめっき、Pbフリーボール）
▼パッケージング部材の評価（基板）
▼マイクロ接合部およびWhiskerの結晶方位解析
▼Auパッド部の表面形状および表面分析調査
▼はんだボール界面部および樹脂部の測定
▼非破壊評価との融合
▼研磨法による接合界面観察
▼FC-BGA実装品評価事例
▼Snウィスカー（断面＆EBSP測定）＆マイグレーション観察事例
▼Pbフリーソルダーの評価

▼化合物半導体評価

▼TEMによる化合物半導体の観察および分析
▼フォトルミネッセンス法
▼フォトルミネッセンス法（データ更新版）
▼ICTS法
▼ICTS法（データ更新版）
▼X線ラング(Lang）法
▼高精度X線回折法

▼物性評価技術

▼2層材、薄膜の熱伝導率測定
▼はんだ材の物性測定

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