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エレクトロニクス分野


展示会配布資料

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エレクトロニクス分野 分析技術紹介(2003年度 特集号)


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▼実装品の解析技術
・実装評価メニュー
・断面試料調製法
・非破壊評価との融合
・研磨法による接合界面観察
・FC-BGA実装品評価事例
・Snウィスカー(断面&EBSP測定)
    &マイグレーション観察事例
・Pbフリーソルダーの評価
▼最先端MOSデバイス評価
・HfO2/Siの高分解能RBSによる評価
・HfO2/SiのQ-SIMSによる評価
・ウルトラシャロージャンクション(USJ)の
 Q-SIMSによる評価
▼極微量化学分析
・ウェハ表面分析/材料分析
  /クリーンルーム環境測定
▼化合物半導体評価
・TEMによる化合物半導体の観察および分析
・ICTS法
・フォトルミネッセンス法
▼Low-k CU配線膜評価
・ナノインデンターによる微小部の硬さ・
 ヤング率測定
・薄膜の密着性評価
・FESEM/EBSP法(高分解能結晶方位 解析法)
 による材料組織評価
▼電子部品のCAE/実験技術
・電子部品のCAE/実験技術
▼物性評価技術
・2層材、薄膜の熱伝導率測定
・はんだ材の物性測定
▼腐食評価
・エレクトロニクス材料の腐食問題

           

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実装品の解析技術

▼FC-BGAにおけるマイクロ接合部の結晶方位 解析
▼断面観察事例
▼非破壊評価法と破壊評価の融合
▼ミクロ領域からナノ領域への分析
▼試料調製法の差異による観察事例
▼Jisso Evalution
▼Total Evaluation for Micro joining area

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