株式会社コベルコ科研 | シリコンウェハの分析

コベルコ科研では、秘密厳守のもと
お客様の課題・問題解決のサポートを致します。

□HOME > 事業概要 > 課題解決・提案 > 環境・化学 > 材料分野 > シリコンウェハの分析

■半導体分析-シリコンウェハの分析

シリコンウェハの分析　：　クリームルーム環境評価
液中パーティクル分析　：　石英等の表面、バルク微量成分分析

ＷＥＥＥおよびＲｏＨＳ指令対策　：　ガス分析
鉄鋼、非鉄等の組成分析　：　介在物の抽出と分析
溶液中イオンの分析

有機材料中の微量金属分析　：　高分子材料評価分析
樹脂・接着剤等のガス分析

■8インチウェハ・12インチウェハの表面・裏面に存在する極微量元素の定量分析を最短即日で対応致します。


対象試料≫≫	8インチウェハ・12インチウェハの表面・裏面に存在する極微量元素の定量分析を最短即日で対応致します。

分析種類≫≫	(1)表面分析(表面または裏面) (2)全面分析(表面＋裏面＋端面) (3)エッジ(端面)分析(端面から0.5～3mm部) (4)局所表面分析(表面の任意エリア) (5)多層膜分析(ウェハの任意膜中) (6)エッチング分析(表面より1～200μm)

・ウエハ表面分析における定量下限値

※定量下限はウェハ膜種、測定装置、測定条件などにより変わることがあります。