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GD-OES分析(グロー放電発光分析)

  • 方法
    アルゴン雰囲気下の放電で生成されたArイオンが陰極面となる試料表面に入射し、スパッタリングと呼ばれる現象が起こり、固体表面から構成元素に基づく原子・電子・荷電粒子などが放出される。試料表面から放出した原子はグロー放電中で電子との非弾性衝突により励起され、元素固有の光を発する。この光を分光器よって波長毎に分けて、その強度を測定することで、元素の分析を行う。順次、スパッタリングを行うことによって、試料表面から元素の深さ方向分布を測定することができる。
  • 試験装置・ソフト
    堀場製作所製 GD-PROFILER2
  • イメージ

    ※クリックすると拡大します。

    • 図1 a-Si/SiN界面におけるAlの深さ方向分析
    • 図2 多層膜界面におけるNiの深さ方向分析
  • 特徴
    数十~数百ppmの高感度で、Hから全元素を測定することが可能である。また、測定時間が数~数十分と短時間のため、大量の試料の測定ができる。さらに、最表面から100μm程度の深い領域まで深さ方向分析が可能である。
  • 実施例
    ・めっき膜、コーティング膜、鉄鋼材料の深さ方向分析、各種機能性薄膜の深さ方向分析
    ・表面変色部の深さ方向分析、薄膜/基材界面、薄膜、多層膜の深さ方向分析
    ・厚膜(~100μm)の深さ方向分析