エピ・薄膜SOI対応全自動ライフタイム測定装置 LTA-2200EP/F

ウェーハサイズ 300mm

評価領域 バルク エピ 拡散 薄膜SOI

ウェーハ搬送 ロボット

計測項目 マップ 任意座標 τe τ1

カセット FOUP

JEIDA標準の測定系(レーザ波長904nm、マイクロ波周波数9.6GHz)に加えて、349nmの短波長レーザと26GHzの差動μ-PCD検出系を搭載しています。

CZウェーハはもちろん、エピ・拡散や低抵抗率のウェーハ、薄膜SOI構造の試料など幅広いウェーハのライフタイム測定が可能です。

非接触ノッチ・オリフラ合わせ、センタリング、カセットtoカセットのウェーハ搬送機能を備えています。

全自動で連続25(26)枚のウェーハのライフタイムマップを測定します。

300mmFOUPカセットに対応しています。



エピ・薄膜SOI対応全自動ライフタイム測定装置 LTA-2200EP

ウェーハサイズ 100mm 125mm 150mm 200mm 300mm

評価領域 バルク エピ 拡散 薄膜SOI

ウェーハ搬送 ロボット

計測項目 マップ 任意座標 τe τ1

カセット Open

JEIDA標準の測定系(レーザ波長904nm、マイクロ波周波数9.6GHz)に加えて、349nmの短波長レーザと26GHzの差動μ-PCD検出系を搭載しています。

CZウェーハはもちろん、エピ・拡散や低抵抗率のウェーハ、薄膜SOI構造の試料など幅広いウェーハのライフタイム測定が可能です。

非接触ノッチ・オリフラ合わせ、センタリング、カセットtoカセットのウェーハ搬送機能を備えています。

全自動で連続25(26)枚のウェーハのライフタイムマップを測定します。

 


エピ・薄膜SOI対応全自動ライフタイム測定装置 LTA-2000EP

ウェーハサイズ 100mm 125mm 150mm 200mm

評価領域 バルク エピ 拡散 薄膜SOI

ウェーハ搬送 ロボット

計測項目 マップ 任意座標 τe τ1

カセット Open

JEIDA標準の測定系(レーザ波長904nm、マイクロ波周波数9.6GHz)に加えて、349nmの短波長レーザと26GHzの差動μ-PCD検出系を搭載しています。

CZウェーハはもちろん、エピ・拡散や低抵抗率のウェーハ、薄膜SOI構造の試料など幅広いウェーハのライフタイム測定が可能です。

非接触ノッチ・オリフラ合わせ、センタリング、カセットtoカセットのウェーハ搬送機能を備えています。

全自動で連続25(26)枚のウェーハのライフタイムマップを測定します。

 


エピ・薄膜SOI対応ライフタイム測定装置 LTA-1510EP

ウェーハサイズ 100mm 125mm 150mm 200mm 

評価領域 バルク エピ 拡散 薄膜SOI

ウェーハ搬送 手動

計測項目 マップ 任意座標 τe τ1
 

JEIDA標準の測定系(レーザ波長904nm、マイクロ波周波数9.6GHz)に加えて、349nmの短波長レーザと26GHzの差動μ-PCD検出系を搭載しています。

CZウェーハはもちろん、エピ・拡散や低抵抗率のウェーハ、薄膜SOI構造の試料など幅広いウェーハのライフタイム測定が可能です。

試料を測定ステージにマニュアルセットすることにより、ライフタイムマップを測定します。


低温ポリシリコン評価装置 LTA-2810SP

ウェーハサイズ 400 x 500 mm (ガラス基板)

評価領域 低温ポリシリコン

ウェーハ搬送 ロボット

計測項目 マップ 任意座標 Peak

349nmの短波長レーザと、26GHzの差動μ-PCD検出系を搭載しています。

従来評価が困難だった低温ポリシリコン薄膜の結晶性の評価が可能です。

ロボット搬送機能を備えており、基板カセットをセットすることにより、ピーク値マップを自動的に測定します。


低温ポリシリコン・SiC評価装置 LTA-1800SP

ウェーハサイズ 200mm角まで 

評価領域 低温ポリシリコン SiC

ウェーハ搬送 手動

計測項目 マップ 任意座標 τe τ1 Peak

349nmの短波長レーザと、26GHzの差動μ-PCD検出系を搭載しています。

従来評価が困難だった低温ポリシリコン薄膜の結晶性や、ワイドバンドギャップ半導体であるSiCの評価が可能です。

試料を測定ステージにマニュアルセットすることにより、ライフタイムまたはピーク値マップを測定します。

オフライン評価や研究用に適した装置です。



FPD・SiC・PV薄膜評価装置 LTA-1610SP

ウェーハサイズ 200mm角まで 

評価領域 FPD(LTPS,IGZO),SiC,CIGS等

ウェーハ搬送 手動

計測項目 マップ 任意座標 τe τ1 Peak

349nmの短波長レーザと、26GHzの差動μ-PCD検出系を搭載しています。

従来評価が困難だった低温ポリシリコン薄膜の結晶性や、ワイドバンドギャップ半導体であるSiCの評価が可能です。

試料を測定ステージにマニュアルセットすることにより、ライフタイムまたはピーク値マップを測定します。

コンパクトかつコストパフォーマンスに優れた、
オフライン評価や研究用に適した装置です。



鉄濃度測定ユニット FE-2000/2200

鉄濃度測定例


ウェーハサイズ 100mm 125mm 150mm 200mm 300mm* (*FE2200のみ)

対象 P型CZウェーハ

ウェーハ搬送

自動(LTA-2000,2200,2000EP,2200EPの場合)


計測項目 マップ 任意座標 Fe濃度

光照射により、鉄−ボロンペアを格子間鉄に解離させ、光照射前後のライフタイムから鉄濃度を算出します。

任意座標の鉄濃度や、ウェーハ全体の鉄濃度マップを測定できます。

FE-2000/2200は、LTA-1510/1512/2000/2200/EPへの組み込み用です。

型名 ウェーハサイズ(mm) 自動
計測
対応機種
100 125 150 200 300
FE-2000 LTA-2000、2000EP
LTA-1510、1510EP
FE-2200 LTA-2200、 2200EP
LTA-1512、 1512EP


コロナチャージユニット CC-2000/2200


コロナチャージ前 τ=3μs


コロナチャージ後 τ=250μs


ウェーハサイズ 100mm 125mm 150mm 200mm 300mm*(*CC2200のみ)

対象 CZ FZ エピ 拡散 SOI

ウェーハ搬送 自動

計測項目 マップ 任意座標 τe τ1

コロナ放電で生成したイオンをウェーハ表面にデポすることにより、表面/界面のキャリアを内部に押し込みます。従って表面/界面の影響を受けずにバルクのライフタイムが測定できます。

RTO処理による酸化膜の場合でもバルクのライフタイムが得られます。

300mmウェーハプロセスのように、枚葉処理が主体となる工程でお使いいただけます。

型名 ウェーハサイズ(mm) 自動
計測
対応機種
100 125 150 200 300
CC-2000 LTA-2000、2000EP
CC-2200 LTA-2200、 2200EP

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