重金属不純物は、シリコンウェーハの加工や半導体製造プロセスの各段階（特に高温処理プロセス）でウェーハに導入され、不純物準位を形成します。不純物準位は過剰キャリアの再結合中心として働くため、再結合ライフタイム（注入されたキャリアの寿命：以下ライフタイム）を減少させます。

多くの場合、少量の金属不純物（1×10¹⁰個/cm³〜1×10¹³個/cm³）でもライフタイムは減少します。すなわち、ライフタイムは結晶の完全性を特徴付けるパラメータの一つであり、ライフタイム測定はウェーハの汚染、結晶性の評価に不可欠な測定項目といえます。

レーザの照射により価電子帯（Valence Band）と伝導帯(Conduction Band)に発生した電子と正孔は、シリコンウェーハの物理的特性で決まるライフタイムの後再結合して消滅します。汚染や欠陥により不純物準位（Trap　Level）の密度が高いと、再結合の確率が増加するので、ライフタイムは短くなります。