[KOBELCO/LEO]Wafer Soter

豊富な非接触・非破壊センサ

長年にわたって蓄積された豊富なウェーハ評価技術をベースに、様々な非接触・非破壊センサを用意しています。

装置の仕様・構成に応じて、各種センサを最適な位置に配置し、最高精度の測定を最短の時間で実現します。


厚さ・P/N・直径センサ	厚さ・ボウワープセンサ	比抵抗・P/Nセンサ

厚さ・P/N・比抵抗センサ	厚さ・P/N・比抵抗センサ	低/高比抵抗センサ

センサ	測定方法	仕様
比抵抗	低比抵抗（渦電流法）	範囲：0.001～ 1Ωcm　精度：0.2～0.8%
比抵抗	高比抵抗（渦電流法）	範囲：0.05 ～200Ωcm　精度：0.5～2.0%
P/N型	接触法（熱起電力法）	比抵抗範囲：0.001～200Ωcm
P/N型	非接触法（整流法）	比抵抗範囲：0.1～200Ωcm
厚さ	静電容量法	精度：±0.5μm　再現性：0.1μm　分解能：0.01μm
直径	CCDイメージセンサ	精度　≦±25μm　分解能　14μm
ボウ・ワープ	静電容量法	自重たわみ補正法
魔鏡	光学式
ＧBIR	静電容量法	回転測定方式
粗さ	白色光干渉法	タリサーフ（テーラーホブソン社）

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