酸化物半導体材料

材料 組成 反射膜  キャップ/下地膜  半導体膜 
KOS-B01
(IGZO)
In:Ga:Zn=1:1:1 約10 標準材料
KOS-B02 独自組成 約10 高安定材料、バックチャネルエッチプロセス対応材料
KOS-Hシリーズ 独自組成 約20 高移動度材料

各種酸化物半導体材料を提供いたします。

Structure Process
KOBELCO R&Dで酸化物半導体プロセスの開発が可能です。
各種プロセスに対応した酸化物半導体材料を提案します。



KOS-B01(IGZO)

TFTのストレス耐性

KOS-B02

PNAエッチャント耐性

KOS-Hシリーズ




メンテナンス中



μ-PCDによる測定例







アドバンストアロイとは、コベルコ科研が提案する新しい合金の登録商標です。

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