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「VLSI Technology Symposium 2021」にて、共同開発した三次元集積メモリデバイスを発表します。
お知らせ
2021.06.04
当社はフラットパネルディスプレイ向けに、独自の高移動度酸化物半導体スパッタリングターゲット材を開発し、提供しています。
このほど、東京大学生産技術研究所、神戸製鋼所、当社の3社が共同で、Si半導体三次元集積メモリデバイスのトランジスタ用途に応用することができるメモリデバイス技術の開発に成功致しました。
本研究の成果は、2021年6月13日(日)午前0時00分(日本時間)から「VLSI Technology Symposium 2021」で発表します。
オンデマンド配信はVLSI Symposium 2021ホームページにて、6月1日から配信中、6月13日からの本会議では、Q/Aセッションのライブ配信が行われます。
ご興味のある方は、ぜひご覧ください。
<外部リンク:東京大学生産技術研究所ホームページ>
https://www.iis.u-tokyo.ac.jp/ja/news/3569/
<本お知らせに関するお問い合わせ先>
総務部 広報担当 TEL:078-272-5915