当社の特徴ある装置による受託測定サービスを承ります。
ライフタイム:Si、SiC、GaN、LTPS、IGZO等各種半導体材 料のライフタイム測定。
バルクウェーハのライフタイムマップ例
ライフタイム:Si、SiC、GaN、LTPS、IGZO等各種半導体材 料のライフタイム測定。ライフタイムを測定することにより、結晶の完全性やウェーハ中に混入した重金属を測定することができます。また、ライフタイムマップにより汚染原因を推定できる場合があります。当社のライフタイム測定装置の測定ピッチは標準仕様で0.5mmであり、細かなマップを高速で作成することができます。
青色が短いライフタイムに対応しています。
平坦度:Si、SiC、サファイア基板の平坦度 (Bow,Warp,TTV,GBIR,FSQR等)の測定。
測定例
魔鏡:Si基板(ミラー)の表面性状観察。
シリコンウェーハ表面の観察例
面荒れ、突起、凹み、研磨痕、研削痕、エッジクラック、サーマルスリップが明瞭に現れています。
エッジプロファイル:Si、SiC、サファイア基板のエッジ(ベベ ル)形状測定。
エッジ形状とノッチ形状の測定例
エッジ形状とノッチ形状の測定例を示します。異なる形状についても、オプションソフトウエアにより対応可能です。
エッジロールオフ(ROA : Roll Off Amount)を非接触、非破壊で表裏同時に測定します。
エッジロールオフの測定例