| 略 称 |
装置スペック |
| Cs-STEM |
日本電子製JEM-ARM200F
電子銃;Cold-FE電子銃
加速電圧;収差補正STEM：60、80、200kV
高空間分解能;TEM：0.10nm（格子像）、0.19nm（粒子像）、STEM：0.10nm
高感度EDX分析;100mm2SDD検出器、立体角0.98sr
EELS分析;Gatan製 GIF-Quantum、高エネルギー分解能（0.3eV）
試料ホルダーなど:大気非開放ホルダー、大気非開放冷却ホルダー |
| FE-TEM① |
日立ハイテクノロジーズ社製HF-2200 電界放出型透過電子顕微鏡
加速電圧;200kV、分解能;0.1nm(格子像)、0.23nm(粒界像)、最小プローブ径;0.5nm
倍率;×2,000～1,500,000、STEM分解能;0.2nm、EDX分析;Noran B～U
EELS分析;GIF-Tridiem、エネルギー分解能;0.6eV、空間分解能1nm/元素マッピング状態分析 |
| FE-TEM② |
日本電子製JEM-2100F 電界放出型透過電子顕微鏡
加速電圧;200kV、分解能;0.1nm(格子像)、0.23nm(粒子像)、最小プローブ径;0.5nm
倍率;×2,000～1,500,000、STEM分解能;0.2nm、EDX分析;Noran B～U
EELS分析;Enfina、エネルギー1.0eV 空間分解能1nm/元素マッピング 状態分析 |
| FE-SEM① |
日立ハイテクノロジーズ社製S-5500 電界放出型走査電子顕微鏡(インレンズタイプ)
倍率;×60～2,000,000(メーカーカタログ値)、×800,000(実効倍率)
加速電圧;0.5～30kV、二次電子像分解能;0.4nm(30kV)、1.6nm(1kV)
分析;EDX(EDAX)B～U |
| FE-SEM② |
日立ハイテクノロジーズ社製SU-70 電界放出型走査電子顕微鏡
倍率;×60～800,000(メーカーカタログ値)、×300,000(実効倍率)
加速電圧;0.1～30kV、二次電子像分解能;1.0nm(15kV)、1.6nm(1kV)
分析;EDX(OXFORD)Be～U、WDX(OXFORD)Be～U
EBSDによる結晶方位解析 |
| FE-EPMA |
日本電子製JXA-8500F
二次電子分解能;3nm
最小プローブ径;10kV 1×10-8A 40nm(分析時)、10kV 1×10-7A 100nm(分析時)
分析元素;B～U |
| FE-AES |
日本電子製 JAMP-9500F
二次電子分可能;3nm(25kV)、分析時最小プローブ径;8nm(25kV 1×10-9A)
静電半球型アナライザー(HAS)、エネルギー分解能(⊿E/E);0.05％(可変)
Arイオン銃(帯電中和つき) |
| SIMS |
DF-SIMS
(二重収束型二次イオン質量分析装置)
装置名:CAMECA社製ims5f
ビーム径:最小0.5μm(O2+)、0.2μm(Cs+)
2次イオン質量範囲:1～250、
検出下限:ppm～ppb |
Q-SIMS
(四重極型2次イオン質量分析)
装置名:ATOMIKA社製SIMS4500
最小ビーム径(直径):酸素5μm(5keV)、Cs10μm(5keV)
2次イオン質量範囲:1～350
検出下限:Si中B 1E16(at/cm3) |
| μ-XPS |
X線光電子分光装置(Physical Electronics社製 QuanteraSXM)
分析領域;X線ビーム径9～200μm、励起源;単色化AlKα |
HR-RBS
HR-ERDA |
中エネルギーイオンビーム分析装置(神戸製鋼所:HRBS500)
ビーム径;最小1mm角、エネルギー分解能;0.2％、エネルギー;500keV(He+、N+)
測定モード;RBS(ラザフォード後方散乱分析)、ERDA(反跳粒子検出法:水素分析) |
| GD-OES |
グロー放電発光分析装置(堀場製作所製GD-Profiler2)
分析元素;H～U、分析面積;4mmφ、(オプション)2mmφ |
AFM
STM |
走査プロープ顕微鏡(Digital Instruments:Nanoscope 3a)
測定モード:原子間力顕微鏡(AFM)、トンネル顕微鏡(STM)
水平力、磁気力、電気力、表面電位などナノインデンテーション |
| XRD |
マイクロX線解析装置リガク社製RINT2500V)
X線ターゲット;Cu(回転対陰極型)、ビーム径;最小10μmφ、検出器;湾曲型PSPC
微小部X線回折装置リガク社製RINT RAPIDⅡ
X線ターゲット;Cu、Cr、Co(封入管球型)、ビーム径;最小30μmφ、
検出器;イメージングプレート(2次元検出器)
試料水平型薄膜X線回折装置(リガク社製SmartLab)
X線ターゲット;Cu(回転対陰極型)
薄膜材料の面内回折、斜入射回折、逆格子マッピング、極点、反射率測定、小角散乱など |
| 微小部X線応力測定 |
微小部X線応力測定装置(リガク:CN2905G3)ビーム径:最小0.15mmφ |
| レーザーフラッシュ熱定数測定 |
レーザーフラッシュ熱定数測定装置(リガク:FA8510B) |
| LRS |
レーザーラマン分光光度計(日本分光:NR1000) 分析領域:最小1μm |
| 顕微FT-IR |
パーキンエルマー社製(Spectrum 1000ATR)
微小域100 μmφのATR分析可能 |
| イメージングIR |
パーキンエルマー社製(Spectrum Spotlight400)
測定モード;透過・反射・ATR 官能基の二次元分布解析が可能
最小ピクセルサイズ:透過・反射(6.25μm sq.)、ATR(1.56μm sq.) |
| GC-MS |
ガスクロマトグラフー質量分析装置(Varian:3400、Finnigan MAT:SSQ70)
熱分析装置(リガク:TG8101D)熱分解装置(日本分析工業:JHP-3)
バージアンドトラップ装置(日本分析工業:JHS100A) |
| ICP-MS |
誘導結合プラズマ質量分析装置
(セイコーインスツルメント社製;SPQ9000SE、SPQ8000、パーキンエルマー社製;ELAN DRC-Ⅱ) |
| FL-AAS |
フレームレス原子吸光光度計 (VARIAN社製;SpectrAA-880Z、AA240Z) |
| TXRF |
全反射蛍光X線分析装置 (テクノス社製;TREX630) |
サーマル
マイクロスコープ |
熱物性顕微鏡 サーマルマイクロスコープTM３
測定項目;熱浸透率、熱伝導率、検出光径;約1μm、測定対象膜;1μm～加熱用レーザー;YAGレーザー(波長532μm)、検出用レーザー;He-Ne(波長633μm)
機能;ポイント・ライン・マッピング測定 |
| サーモグラフィ |
NEC AVIO赤外線テクノロジー社製サーモトレーサ TH9260 画像データ;640(H)×480(V)ドット、温度測定範囲;-40～500℃
最小検知寸法;25×25μm(走査範囲;16(H)×12(V)mm)
最小検知温度差;0.03℃以下(at 30℃Σ64)
測定精度;±2%(読取り値)or±2℃のどちから大きい方、測定波長;8～13μm |
| 画像相関 |
レーザー計測社製VIC-3D |
| ナノインデンター |
ナノインデンターG200
測定項目;薄膜・微小部の硬さ、ヤング率、スクラッチ試験、圧子;バーコビッチ型、球状圧子、円柱圧子、円錘圧子
測定対象膜;100nm～、押し込み制御分解能;0.01nm、最大押し込み深さ;500μm
最大荷重;700mN、荷重分解能;50nN、加熱ステージ;～350℃ |
| サイカス |
設備名:SAICAS-DN20S型
測定項目:密着性評価(切削、ピール)、見なし剪断強度、試料加工
切刃;単結晶ダイヤモンド(標準、形状各種)、BN(形状各種)、インデント
切削幅:0.3（標準）、0.5、1.0mm(その他刃幅別途ご相談)
測定対象膜:1～1000μm(1～20μm程度を推奨、その他膜厚ご相談)
ロードセル:5N（標準）、20N、100N 温度制御:-50～200℃(その他温度別途ご相談)
測定対象材:有機膜（樹脂膜）、多層膜、塗膜、めっき膜、電極など |
| FIB |
日立ハイテクノロジーズ社製nanoDUE'T NB5000
加速電圧:1～40kV、像分解能:5nm
FE-SEM:加速電圧0.5～30kV、像分解能1.0nm |
| イオンミリング |
イオンミリング装置(PIPS)(GATAN製MODEL691) |
ミクロトーム
(切削法) |
ミクロトーム加工装置(日本電子製ULTRACUT・J) |
| 断面試料作製装置 |
日本電子社製 SM-09010 クロスセクションポリッシャ(CP)
イオン源;アルゴンイオン 加速電圧;2～6kV |
| ICTS |
堀場製作所製DA1500
測定周波数:1MHz
最高分解能:1ｆF
サンプリング範囲:5μs～10000ｓ
試料温度:20K～400K |
| DLTS |
PhysTech製FT1030
測定周波数:1MHz
最高分解能:0.01ｆF
試料温度：20K～700K |
| TSC |
(自社システム)TSC測定装置
測定温度範囲:80～450K |
| ホール効果測定 |
東陽テクニカ製Hall効果測定システム
測定方法:van der Pauw法
磁場;最大 0.5T
測定温度範囲:80～450K |
