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半導体向けターゲット

酸化物半導体

背景

プロセスノードの微細化が限界を迎えつつあるといわれる中、酸化物半導体は低リーク電流、積層できる特長を有することからSi半導体用途において注目されている。

課題

高移動度、水素耐性、耐熱性、不純物量低減

解決策・概要

機能性薄膜材料の開発力を駆使し、課題に応じた組成調整およびスパッタリング製造技術開発により独自の酸化物半導体スパッタリングターゲットを提供します。

混載メモリセルへの適用事例Use cases of heterogeneous memory cells

・東京大学大学院工学系研究科附属システムデザイン研究センター 小林准教授との共同研究成果

1T1C混載メモリに搭載しメモリセル動作を確認

J. Wu et al.,"Monolithic Integration of Oxide Semiconductor FET and Ferroelectric Capacitor Enabled by Sn-Doped InGaZnO for 3-D Embedded RAM Application", IEEE Trans. Electron Devices, vol. 68, Issue 12, pp. 6617-6622, 2021.

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