事業概要
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薄膜評価一覧
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| 表面組成(物理) |
EPMA
(WDS/EDS) |
D-SIMS
Q-SIMS
TOF-SIMS |
XPS |
AES
FE-AES |
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| 状態分析(物理) |
| EPMA(WDS) |
XPS |
AES-EELFS |
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| 深さ方向組成 |
D-SIMS
Q-SIMS
TOF-SIMS |
HR-RBS
HR-ERDA |
GD-OES |
XPS |
AES
FE-AES |
| 表面汚染・異物分析 |
| TDS |
ICP-MS |
イオン
クロマト |
|
|
| FL-AAS |
TXRF |
FIB-TEM |
顕微FT-IR |
|
| 薄膜半導体物性 |
| ホール効果 |
フォト
ルミネッセンス |
カソード
ルミネッセンス |
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|
| 結晶性・転位・欠陥 |
| XRD |
フォト
ルミネッセンス |
カソード
ルミネッセンス |
ICTS
TSC
DLTS
PITS |
電子線回折 |
| FE-SEM/EBSP |
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| 配向性・結晶方位結晶粒径 |
| FE-SEM/EBSP |
XRD |
TEM |
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| 層構造観察・膜厚測定・断面 分析 |
| 加 工 |
研磨法 |
ミクロトーム
(切削法) |
FIB |
イオン
ミリング |
イオン
スパッタ |
| 観 察 |
FE-SEM |
FE-TEM |
FE-SEM/
EBSP |
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|
| 分 析 |
SEM-EDS |
TEM-EDS |
TEM-EELS |
電子線回折 |
FE-AES |
| 膜 厚 |
TEM |
SEM |
XRR |
エリプソ |
|
| 残留応力測定 |
| FE-SEM/EBSP |
微少XRD&薄膜XRD |
集束電子線回折 |
光てこ |
|
| 熱伝導率・熱膨張 |
レーザー
フラッシュ法
熱定数測定装置 |
熱線方式
熱伝導率計 |
熱機械分析装置(TMA) |
示差熱分析計
(DSC、
TG-DTA) |
|
| 密着性 |
ナノインデンター
スクラッチ
テスト |
スタッドプル試験 |
サイカス試験 |
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