シリコンウェーハのエッジ付近の形状を管理することは、CMPやリソグラフィープロセスにおける不良を抑えるために重要です。近年、エッジ近傍における平面からのズレを顕すエッジロールオフが注目を集めています。エッジロールオフを表現する指標として、ROA(Roll Off Amount )というパラメータが提案されています(注1)。ROAは、図のように、ウェーハのエッジからX1~X2に設定した参照領域のフィッティングラインと実プロファイルの差を表す量で、大きいほどエッジ付近でダレが生じていることを意味しています。注1)M. Kimura, et. al: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) pp38.