精密イオンポリシングシステム（Model 691 PIPS）

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- 図１）精密イオンミリング装置の外観
概要

試料表面に加速したアルゴンイオンを当て、原子をはじき出すこと（スパッタリング）により試料表面を削り、透過電子顕微鏡（TEM）観察用薄膜試料を作製する。
仕様

型式：GATAN社製 Model 691 PIPS
・イオン銃：ぺニング形イオン銃　　　　　・イオン電流密度：10mA/cm2
・イオンエネルギー：1～6keV連続可変　　・ビーム径：約350μm
試料

・半導体材料、機能薄膜材料、金属材料、セラミックス材料　等
　（FIB加工した試料、またはバルク試料をφ3mm、厚さ数十μmに加工後、装置内へ導入する）
特徴

・FIB加工と比べ、広い領域でダメージの少ない良好な薄膜試料を作製することが出来る。
・FIBと組み合わせることで、特定箇所での試料作製が可能となる。
・イオンビームの入射角を0°から±10°まで連続的に可変出来る。低角度でのスパッタリング
　には加工ダメージ低減の効果があり、変質や変形を起こしやすい試料に対して有効である。
実施例

・磁気媒体、化合物半導体、Mg合金などのTEM観察用薄膜試料作製
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