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ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy:等温過渡容量分光)測定装置

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    • 図1)測定原理
  • 概要
    半導体接合における容量の過渡特性から、半導体材料中の点欠陥、不純物などが作る深い準位を評価する装置で、深い準位の活性化エネルギー、捕獲断面積などのパラメータ、およびその準位濃度を精度よく測定できる。
    一般的な電圧パルスICTS法に加えて、光をプローブとする光ICTS法にも対応できる。
  • 仕様
    ・型式:堀場製作所製DA1500
    ・基準周波数:1MHz
    ・容量測定範囲:1fF~2000pF
    ・サンプリング範囲:5μs~10000s
    ・試料温度:5K~500K
  • 試料
    ・半導体ウエハ(pn接合または、ショットキー接合を形成)
    ・試料寸法:~4×4mm程度
  • 特徴
    ・ショットキー接合試料での測定の場合、通常の(電圧パルス)ICTS法では、多数キャリアトラップの評価のみ可能であるが、光ICTS法への拡張により、同一試料で少数キャリアトラップの評価も可能としている。
    ・半導体バルク中トラップ以外に、MOS界面準位、アモルファス半導体中の準位評価も可能である。
  • 実施例
    ・各種半導体中の深い準位の評価
    ・MOS界面準位の評価
    ・アモルファスSi中のトラップ準位の評価
  • 関連個別商品
    ICTS(等温過渡容量法)
    TSC(熱刺激電流法)
  • 関連受託商品
    ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy:等温過渡容量)法によるGaN半導体中の深い準位の評価
    フォトルミネッセンス法による半導体超格子構造の評価