インレンズ方式走査型電子顕微鏡（In-LensSEM）

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- 図１）装置外観(右上より斜視）
概要

エレクトロニクス分野を対象として，インレンズ方式により，従来のFE-SEMでは困難であった高倍率の観察が可能，また，80万倍程度での明視野STEM像および暗視野STEM像を同時に観察することもできる。
仕様

・型式：日立ハイテクノロジーズ社製S5500
・二次電子像分解能：30kV-0.4nm　1kV-1.6nm
・加速電圧：0.5～30kV
・実用倍率：60～800,000倍
試料

・対象
　エレクトロニクス分野における実装材料
・最大搭載可能試料サイズ
　　平面　5.0mm×9.5mm×3.5mmH
　　断面　2.0mm×6.0mm×5.0mmH
特徴

・低加速電圧（0.5～5.0kV）下での高倍率（20万倍程度）観察が可能で，反射電子像も　同時にとれる。
・ダメージの少ない30kVでの低加速STEM観察が可能である。
・SEM/FIB共用フォルダを使用することにより，試料に触れることなく，FIB加工とSEM観　察を短時間で繰返して行うことが可能である。
実施例

・Auワイヤボンディング接合部の断面高倍率観察（Au/Auダブルボンディング，Au/Al接　合界面）
・メモリデバイスの構造観察
・はんだボール酸化膜の断面観察
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