GD-OES分析（グロー放電発光分析）

方法

アルゴン雰囲気下の放電で生成されたArイオンが陰極面となる試料表面に入射し、スパッタリングと呼ばれる現象が起こり、固体表面から構成元素に基づく原子・電子・荷電粒子などが放出される。試料表面から放出した原子はグロー放電中で電子との非弾性衝突により励起され、元素固有の光を発する。この光を分光器よって波長毎に分けて、その強度を測定することで、元素の分析を行う。順次、スパッタリングを行うことによって、試料表面から元素の深さ方向分布を測定することができる。
試験装置・ソフト

堀場製作所製　GD-PROFILER2
イメージ
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- 図1　a-Si/SiN界面におけるAlの深さ方向分析
- 図2　多層膜界面におけるNiの深さ方向分析
特徴

数十～数百ｐｐｍの高感度で、Hから全元素を測定することが可能である。また、測定時間が数～数十分と短時間のため、大量の試料の測定ができる。さらに、最表面から１００μｍ程度の深い領域まで深さ方向分析が可能である。
実施例

・めっき膜、コーティング膜、鉄鋼材料の深さ方向分析、各種機能性薄膜の深さ方向分析
・表面変色部の深さ方向分析、薄膜／基材界面、薄膜、多層膜の深さ方向分析
・厚膜（～100μm）の深さ方向分析