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Beyond IGZO to the next stage!

高迁移率氧化物半导体靶材(KOS系列)

~采用增加1层结构的方法来解决问题~

日文 English

Beyond Point 1

进一步提高IGZO的性能,打造高性能显示面板!

通过沉积高迁移率氧化物薄膜,与 IGZO 相比,可实现更低功耗、高刷新率、更大设计自由度以及超高精细图像,从而为日益多样化的面板需求作出贡献。

Beyond Point 2

KOS靶材的优势!

KOS 靶材已被量产产线采用,并可作为与既有生产工艺兼容的溅射靶材提供。

特征
・在LCD、OLED、电子纸、X线传感器等用途上有丰富的量产实绩
・实现高电子迁移率、可量产的优异稳定性和可靠性
・即便在IGZO层上增加了叠层结构,仍能实现高迁移率性能
・可在直流溅射(DC Sputtering)、低温工艺(350°C)条件下实现,显著提升与现有LCD/OLED量产工艺的兼容性
・靶材支持多种形态定制,包括平板、圆筒等全系列形状

Beyond Point 3

提供丰富多样的KOS靶材产线,满足多样化需求!

以行业标准材料 KOS‑B03C(迁移率 30) 为核心,提供用于保护膜的 KOS‑HR、具备更高迁移率的 KOS‑HM3(迁移率 40),以及次世代结晶结构的KOS‑HMK(迁移率 50,开发中) 等多样化产品。

Beyond Point 4

a-Si,LTPS, IGZO,KOS系列特性比较

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