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断面試料調製装置 クロスセクションポリッシャー （CP：Cross-section Polisher)
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- イメージ
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図１）断面試料調製装置の外観
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- 概要
- 断面仕上げ加工として，試料へのダメージが小さく，幅約1mm仕上げ加工が可能で，微細化・極薄化の進む半導体パッケージの断面試料調製法として優れており，切削法との組合せことで，装置のスペック以上の機能を引出している。
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- 仕様
- ・型式：JEOL社製CP
・イオン加速電圧:2～6ｋV
・イオンビーム径（半値幅）：500μｍ（加速電圧6kV，試料Si）
・ミリングスピード：1.3μｍ/min以上（加速電圧6kV，試料Si）
・使用ガス：アルゴン
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- 試料
- ・対象材料
実装材料全般、他各種金属
・最大試料サイズ
11mm×10mm×2mm（t)
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- 特徴
- ・JEOL製CP(SM-09010)は通常，仕上げ加工領域が約500μｍ程度であるが，当社保有の独自の前処理加工を施すことで，仕上げ加工領域を約1mm加工時間は通常の約50% にて仕上げることが可能である。
・指定部位の加工歩留まりも高く70%以上で，20μｍ程度の大きさ（例えば半導体パッケージにおけるバンプなど）まで加工できる。
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- 実施例
- ・半導体パッケージにおけるワイヤボンディング接合部の断面試料調製
・半導体パッケージ FC-BGAにおけるバンプ接合部の断面試料調製
・ビルドアップ基板におけるVia接合部の断面試料調製
