ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy：等温過渡容量分光)測定装置

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- 図１）測定原理
概要

半導体接合における容量の過渡特性から、半導体材料中の点欠陥、不純物などが作る深い準位を評価する装置で、深い準位の活性化エネルギー、捕獲断面積などのパラメータ、およびその準位濃度を精度よく測定できる。
一般的な電圧パルスICTS法に加えて、光をプローブとする光ICTS法にも対応できる。
仕様

・型式：堀場製作所製DA1500
・基準周波数：１MHｚ
・容量測定範囲：１ｆF～2000ｐF
・サンプリング範囲：5μs～10000s
・試料温度：5K～500K
試料

・半導体ウエハ（ｐｎ接合または、ショットキー接合を形成）
・試料寸法：～4×4mm程度
特徴

・ショットキー接合試料での測定の場合、通常の（電圧パルス）ICTS法では、多数キャリアトラップの評価のみ可能であるが、光ICTS法への拡張により、同一試料で少数キャリアトラップの評価も可能としている。
・半導体バルク中トラップ以外に、MOS界面準位、アモルファス半導体中の準位評価も可能である。
実施例

・各種半導体中の深い準位の評価
・MOS界面準位の評価
・アモルファスSi中のトラップ準位の評価
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