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オージェ電子分光装置

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- 図１）装置の外観
概要

オージェ電子分光法は、細く絞った電子線を試料表面に照射し、真空中に放出されるオージェ電子のエネルギーと強度を測定することにより、試料表面に存在する元素の種類と量を同定する方法である。表面の局所領域の分析が可能であり、固体表面の組成分析法として広く用いられている装置である。
電子線を試料上で走査することにより、点分析の他に線分析や面分析が出来る。また、イオンスパッタリングを併用することにより、試料の表面から内部方向への組成の変化を測定することも可能である。
仕様

・型式　　　　　　　　：Ｐｅｒｋｉｎ－Ｅｌｍｅｒ社製　ＰＨＩ６５０
・電子銃　　　　　　　：フィラメント：ＬａＢ６　、加速電圧：～１０ｋＶ、最小ビ　　　　　　　　　　　　ーム径：＜５０ｎｍ
・エネルギー分析器　　：電子銃内蔵同軸型ＣＭＡ、　エネルギー分解能：０．２５％　　　　　　　　　　　　～１．２％
・イオンガン　　　　　：フローティング・イオンガンスパッタリング中の試料回転　　　　　　　　　　　　可
試料

・金属材料、金属被膜、電子部品、配線膜、
・試料サイズ　MAX:１５w×１５l×５t　（ｍｍ）
特徴

・検出可能な元素はＬｉからＵである。
・分析深さが浅い（～数ｎｍ）。
・イオンスパッタにより深さ方向の組成分布の測定ができる。
・微小領域（＜１μｍ）の分析が可能である。
・分析室が超高真空であるため、試料を分析室で破断し、その破断面を分析できる。
実施例

・各種製品の表面変質（変色、汚れ）部の分析・ステンレス鋼の不動態皮膜の深さ方向組成分析
・各種金属材料の酸化膜厚測定・腐食生成物の分析
・鋼材の粒界偏析調査、微小析出物の同定、割れ起点部の分析
・硬質コーティング膜の層構造調査、密着性不良部の調査、膜／基材界面の分析
・ウェハの表面分析・ボンディングパッドの表面分析・電極の表面分析・配線膜欠陥部の分析・端子の表面分析
・薄膜／基材界面の分析・薄膜・多層膜の深さ方向分析
関連個別商品

ＡＥＳ分析（オージェ電子分光分析）
関連受託商品

電子部品の金箔変色部の原因調査