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電界放射型走査電子顕微鏡

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- 図1　装置の外観
概要

超高分解能観察と大電流を必要とする多種多様な分析を一台の装置で行うことが可能であり、故障解析や材料開発において、同一場所の分析調査を多方面からアプローチして、総合的な評価を行うことができる。
仕様

・型式：　日立製作所製　SU-70
・電子銃：　ショットキーエミッション形
・二次電子分解能：　1.0nm(15kV)、1.6nm(1kV)
・加速電圧：　0.5kV～30kV
・倍率：　×30～×800,000
・付属装置：　BSE/EDX/WDX/EBSP
試料

・半導体デバイス、実装品などの配線、金属材料、ｾﾗﾐｯｸｽ、高分子材料、皮膜、粒子
・最大試料寸法：22ｔ×127φ（mm）
特徴

・セミインレンズとアウトレンズを切り替えることで、超高分解能観察（20万倍以上可能）と磁性体試料及びEBSP分析にも対応できる。
・低加速・大電流でも細いプローブ径が得られるため、数十nm領域でのEBSP、EDX分析が可能で、またWDX分析においてFE-EPMA並みの100nm領域での分析が可能である。
実施例

・半導体微細パターン断面調査、超電導線破断面調査、金属めっき･DLC断面およびピンホール調査、
・液晶デバイス表面不良解析、樹脂上金属薄膜の不良解析、
・ナノ粒子形状調査及び分析、樹脂極表面形状調査
関連受託商品

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