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EBSP(後方散乱電子回折像）解析
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- 方法
- 指定した領域内の走査点（通常、数万～数十万点）から得られる後方散乱電子回折像（EBSP）の図形的特徴から各点の結晶方位解を算出する。
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- 試験装置・ソフト
- ・ショットキー電界放出型走査電子顕微鏡：
FEI製XL30S-FEG、日本電子製JSM-6500F、Carl Zeiss製SUPRA35、日立製SU-70
・EBSP解析システム：EDAX/TSL社 OIM、OXFORD/HKL社 CHANNEL 5
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- イメージ
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図１）歪増加にともなう結晶粒内の方位変化 -
図２）繰り返し重ね接合圧延（ARB）材の粒界方位差
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- 特徴
- SEMで観察されるミクロ組織レベルでの結晶方位分布を評価する解析方法であり、１回の測定データファイルから、結晶方位以外にも結晶粒径、粒界方位差、相分布、方位関係等、多種多様な解析が行えるため、総合的な組織評価が可能である。
なお、アウトプット（解析結果）の多くがカラーマップで表示されるため、組織解析結果を資格に理解できる。
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- 実施例
- ・金属材料の組織評価（集合組織、結晶粒径、粒界方位差、粒界性格、第二相分布形態等）
・マイクロ接合部の組織評価
・化合物の相同定
