電界放出形オージェ電子分光分析装置

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- 図１）装置外観
概要

FE電子銃を搭載した走査オージェマイクロプローブ(SAM)で、超高真空環境の試料室を有する走査電子顕微鏡(SEM)に、オージェ分析機能やイオンエッチング機能を搭載した構成の装置である。　固体試料の極表面の元素分析、マッピング分析、深さ方向分析などが可能である。
仕様

・型式：JAMP-9500F
・二次電子分解能：3nm
・オージェ像分解能：8nm
・加速電圧：0.5～30ｋV
・エネルギー分解能：0.05～0.6%
・イオン銃：フローティング形
試料

・試料サイズ：20mmφ×5mmH
・半導体基板
・表面コーティング膜
・表面処理鋼板
特徴

・極最表面（数nm）および微小領域（数nm）の元素分析が可能である。
・元素分析とあわせ化学結合状態分析を分析できる。
・絶縁物を含む試料も分析可能である。
・イオンエッチングにより深さ方向の分析ができる。
実施例

・半導体基板電極の表面分析
・多層膜の深さ分析による拡散状況の観察
・金属表面の変色・汚れの原因調査
・粒界不純物元素の偏析調査
関連試験装置

ＦＥ－ＡＥＳ（電界放射型オージェ電子分光分析）分析