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  12. Si格子ひずみ量の評価のデータ・モデル事例

Si格子ひずみ量の評価

  • 目的
    CMOS（complementary metal oxide semiconductor；相補性金属酸化膜半導体）トランジスタの高速化のためひずみSi技術が研究されており、ひずみ量の評価が重要となっている。特に最表面から数ナノメートルのSi格子ひずみ量を調べることを目的とした。
  • 方法
    SGOI（SiGe-on-Insulater）試料のひずみSi部とSiGe部について、高分解能RBS（Rutheford Back-scattering Spectrometry；ラザフォード後方散乱分析）によりそれぞれのディップカーブ（Siの任意の結晶軸に対し入射角度を変えて散乱強度を測定したもの）を測定し、それらのディップ（ディップカーブの底）のずれから最表面のひずみ量を求めた。
  • 試験装置・ソフト
    神戸製鋼所製高分解能RBS分析装置
  • 結果
    SiGe層に対してひずみSi部はディップが0.15度ずれており、そのずれからひずみ量は0.91%であることがわかった。
  • お客様の成果
    浅い深さ領域の格子ひずみ量を測定することが可能となり、ひずみ量の制御に役立った。
  • イメージ

    ※クリックすると拡大します。

    • 図１）ひずみ測定模式図
    • 図２）各入射角におけるHR-RBSスペクトル
    • 図３）ディップカーブ測定結果
  • 関連個別商品
    高分解能RBS分析（高分解能ラザフォード後方散乱分析）
  • 関連試験装置
    高分解能ＲＢＳ分析装置