事業概要Services TOP 事業概要 事業分野から探す 試験研究事業 半導体・デバイス・電子機器 半導体（ウエハ、チップ） 自動車・鉄道・航空機 半導体・デバイス・電子機器 社会インフラ・エネルギー 二次電池 水素・燃料電池 半導体（ウエハ、チップ） 拡散、イオン注入 イオン注入エネルギーの変化に伴うイオン注入分布および基板ダメージの評価 CMP 薄膜(メタル、メッキ、配線など) 低誘電率層間絶縁膜の機械的特性評価 高誘電率材料中の元素の深さ方向分布の評価 高誘電率材料と基板界面のアニールによる組成変化の調査 Si格子ひずみ量の評価 高分解能結晶方位解析法（FESEM/EBSP法）によるCu配線膜の信頼性評価 フォトリソ ベアウエハ ウエハ表面パーティクル分析、汚染分析による半導体デバイスおよび装置の生産・品質管理支援 TSC(Thermally Stimulated Current：熱刺激電流)法による半絶縁性InP半導体中の深い準位の評価 ホール効果測定による半導体の物性評価 ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy：等温過渡容量)法によるGaN半導体中の深い準位の評価 汚染･環境・洗浄
自動車・鉄道・航空機 半導体・デバイス・電子機器 社会インフラ・エネルギー 二次電池 水素・燃料電池 半導体（ウエハ、チップ） 拡散、イオン注入 イオン注入エネルギーの変化に伴うイオン注入分布および基板ダメージの評価 CMP 薄膜(メタル、メッキ、配線など) 低誘電率層間絶縁膜の機械的特性評価 高誘電率材料中の元素の深さ方向分布の評価 高誘電率材料と基板界面のアニールによる組成変化の調査 Si格子ひずみ量の評価 高分解能結晶方位解析法（FESEM/EBSP法）によるCu配線膜の信頼性評価 フォトリソ ベアウエハ ウエハ表面パーティクル分析、汚染分析による半導体デバイスおよび装置の生産・品質管理支援 TSC(Thermally Stimulated Current：熱刺激電流)法による半絶縁性InP半導体中の深い準位の評価 ホール効果測定による半導体の物性評価 ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy：等温過渡容量)法によるGaN半導体中の深い準位の評価 汚染･環境・洗浄
