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TSC（熱刺激電流法）
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- 方法
- 以下の手順によって測定を行なう。
１）半導体試料に対向するオーミック電極を形成し、測定系に接続する。
２）クライオスタット中で冷却後、光照射により試料中のトラップにキャリアを捕獲させる。
３）試料を一定速度で昇温し、捕獲されていたキャリアの放出を外部回路を流れる電流（熱刺激電流）として検出する。
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- 試験装置・ソフト
- ・型式：（自社システム）TSC測定装置
・測定温度範囲：80～450K
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- イメージ
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※クリックすると拡大します。
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図１）TSC法による半絶縁性InP中の深い準位の評価 -
図２）TSC法によるn-GaNにおけるフォトクエンチング現象の評価
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- 特徴
- 半導体試料における熱刺激電流を測定し、試料中の不純物や真性点欠陥がつくる深いトラップ準位を評価する。
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- 実施例
- ・半絶縁性InP中の深い準位の評価
・n-GaNにおけるフォトクエンチング現象の評価
