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ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy:等温過渡容量)法によるGaN半導体中の深い準位の評価

目的

n-GaN半導体薄膜中に存在する電子トラップの特性を評価することを目的とした。

方法

GaN試料上にショットキー電極を形成し、高速過渡容量計によりICTS測定を行なった。

試験装置・ソフト

ICTS測定装置

結果

ICTS測定により、n-GaN試料中には二つの異なる電子トラップ準位が存在することが判明した。
また、各温度でのICTSスペクトルの解析から、それぞれの電子トラップのパラメータ(活性化エネルギー、捕獲断面積)を求めることができた。

お客様の成果

トラップ準位の起源に関する考察を基に、GaN成長条件へのフィードバックを行い、結晶の高品質化に役立った。

イメージ ※クリックすると拡大します。

  • 図1)装置仕様および測定原理
  • 図2)ICTS法によるGaNの深い準位の評価

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