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  14. TSC(Thermally Stimulated Current：熱刺激電流)法による半絶縁性InP半導体中の深い準位の評価のデータ・モデル事例

TSC(Thermally Stimulated Current：熱刺激電流)法による半絶縁性InP半導体中の深い準位の評価

  • 目的
    TSC法により、半絶縁性InP半導体中に存在する深い準位の評価を行なうことを目的とした。
  • 方法
    InP半導体試料に対向型のオーミック電極を形成した後、液体窒素クライオスタットを使った測定システムにより、熱刺激電流を測定した。
  • 試験装置・ソフト
    TSC測定装置
    ・液体窒素クライオスタット式
    ・測定温度範囲：80～450K
  • 結果
    半絶縁性InP半導体中には、３つの異なる深い準位が存在することが判明した。
    TSCスペクトルの解析により、それぞれの準位の活性化エネルギーが求められた。
  • お客様の成果
    深い準位に関する情報から半絶縁性InPの特性制御の指針が得られ、InPウエハ製品の高品質化に役立った。
  • イメージ

    ※クリックすると拡大します。

    • 図１）測定系模式図
    • 図２）半絶縁性InPのTSCスペクトル
  • 関連個別商品
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