事業概要
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物理解析
薄膜材料の評価
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- 薄膜材料の評価
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- EBSD法によるアルミニウム合金の変形組織観察
- 後方散乱電子回折法（ EBSD/EBSP）による評価のデータ・モデル事例
- ナノインデンターを用いたDLC膜の硬度、ヤング率測定による膜質評価
- 多層プリント基板内局所領域における機械的特性評価
- 低誘電率層間絶縁膜の機械的特性評価
- 電子部品の金箔変色部の原因調査
- X線反射率法及び高分解能RBS法によるDLC膜の評価
- イオン注入エネルギーの変化に伴うイオン注入分布および基板ダメージの評価
- 高誘電率材料中の元素の深さ方向分布の評価
- 高誘電率材料と基板界面のアニールによる組成変化の調査
- Si格子ひずみ量の評価
- 高分解能結晶方位解析法（FESEM/EBSP法）によるCu配線膜の信頼性評価
- ホール効果測定による半導体の物性評価
- ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy：等温過渡容量)法によるGaN半導体中の深い準位の評価
- REELS(反射電子エネルギー損失分光法）を用いたDLCの局所構造の解析・評価
- 高分解能ERDA（反跳散乱分析）法によるＤＬＣ膜中の水素濃度測定および解析
材料の評価
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- 材料の評価
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- EBSD法によるアルミニウム合金の変形組織観察
- 後方散乱電子回折法（ EBSD/EBSP）による評価のデータ・モデル事例
- コーティング膜の剥離調査
- 超微細結晶粒材料の組織解析
- EBSP法による機器用ステンレスの損傷評価
- 軟質磁性材料の磁気特性評価
- 燃料電池電極触媒の観察・評価
- 燃料電池のMEA断面組織評価
- X線回折法による燃料電池電極触媒の評価
- めっき部品の膨れ原因調査
- TSC(Thermally Stimulated Current：熱刺激電流)法による半絶縁性InP半導体中の深い準位の評価
- ホール効果測定による半導体の物性評価
- ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy：等温過渡容量)法によるGaN半導体中の深い準位の評価